半導體關鍵材料

● 公司掌握高純?yōu)R射靶材的一條龍生產核心技術，在河南鄭州本部已經建成高純?yōu)R射靶材生產線，產品工藝達到國際領先水平。

● 公司鄭州占地200畝（一期50畝）的集成電路產業(yè)園正在建設中，未來將投產新的靶材產線。

● 2021年公司完成對新加坡某半導體核心材料制造商的全資并購，靶材產品進入臺積電、格羅方德等優(yōu)質客戶。

· 國產替代；

· 知名廠商認證通過;

Ru及其合金靶材
1.集成電路阻擋層；2.PMOS器件的跡電極材料；3.動態(tài)隨機存儲器DRAM和鐵電隨機存取存儲器FRAM中電容的電極材料；4.應用在磁性隨機存儲器MRAM中；5.硬盤記錄層不可或缺的底層材料。
氧化鎂靶
氧化鎂具有高溫熱穩(wěn)定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優(yōu)點，是作為存儲芯片的主要原料之一。
鐵鈷硼靶
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，其主體結構由三層結構的磁隧道結構成：自由層，固定層和氧化層，其原理是通過改變固定層和自由層的磁矩方向性實現存儲數據。其中自由層的材料是CoFeB。
Mg靶
鎂是近年來可以制備并能夠在自然環(huán)境中長期保存的輕質金屬，金屬鎂在各個行業(yè)內的應用也越來越廣泛，很多國防產品、民用產品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲芯片的主要原料之一。
NiPt靶
用于制備NiPt-硅化物觸頭，該觸頭是45nm技術節(jié)點以后最常用的硅化物。被應用于肖特基二極管(SBD)、互補金屬氧化物半導體器件(CMOS)、場效應晶體管(FET)和集成電路等領域。